主要应用：
半导体材料的光生电压性能的测试分析、可开展光催化等方面的机理研究，应用于太阳能电池、光解水制氢等方面的研究，可用于研究光生电荷的性质，如：光生电荷扩散方向；解析光生电荷属性等。主要代表材料有TiO2、ZnO、CdS、GaAs、CdTe、CdSe等。
表面光电压谱的技术参数
1)光电压谱测量：最小电压>10nV；功能材料的光电性质，可开展光催化等方面的机理研究；
2)光电流谱测量：最小电流>10 pA；研究功能材料光电流性质，可应用于太阳能电池、光解水制氢等方面的研究；
3)光伏相位谱分析：相检测范围：-180°至+180°；可用于研究光生电荷的性质，如：光生电荷扩散方向；解析光生电荷属性等；
4)表面光电压、光电流、相位谱分析的光谱波长范围：200-1600nm，可以全光谱连续扫描，光谱分辨率0.1nm，波长准确度±0.1nm；
5)可以实现任意定波长下，不同强度光照下的表面光电压、光电流、相位谱分析，实现光谱分析的多元化；
6)光路设计一体化、所有光路均在暗室中或封闭光路中进行，无外界杂光干扰；
7)光源配置：氙灯光源（200/300-1100nm）；卤素灯光源（400-1600nm）；氘灯光源（190-400nm）；
8)氙灯光源500W，点光源（2-6mm），可以实现变焦，实现软件反控调节光的输入功率，可以实现250W-500W连续可调，USB接口控制，完成5）的测试分析；
9)单色仪：出入口可平行或垂直，焦距300mm，相对孔径：F/4.8，光学结构：非对称水平Czerny-Tuner光路，光栅面积55*55mm，最小步距0.0023nm，光谱范围200-1600nm；
10)配置全自动6档滤光片轮，消除各种杂散光尤其>600nm,标配滤光片3片，范围185-1600nm；
11)锁相放大器（斯坦福）：
-102.4kHz频率范围；
b.大于100dB动态存储；
/oC的稳定性；
度相位分辨率；
e.时间常数10us-30ks；
f.同步参考源信号；
及RS232接口；
转25串口线；
转232串口线
12)斩波器（斯坦福）:
a.具有电压控制输入，四位数字频率显示，十段频率控制，和两种可选工作模式的参考输出；
—3.7kHz斩波频率；
c.单光束和双光束调制；
d.低相位抖动频和差频参考信号输出；
转232串口线；
13)专用控制软件，数据记载，数据保存，应用于表面光电压谱的数据反馈，可以反控单色仪、锁相放大器（SR810、SR830、7265、7225）、斩波器、光源，根据需求自行修改参数，可根据需求进行源数据导出；
14)主要配件： a.光学导轨及滑块；
b.封闭的光学光路系统；
c.标准的光学暗室；
d.光电压及光电流池；
e.外电场调系统；
f.电流-电压转换器；
g.计算机（选配）；
h.光学平台（选配）。
表面光电压谱的测量方法示意图
（1.氙灯光源；2.单色仪；3.斩波器（斯坦福）；4.汇聚透镜；5.反射镜；6频率调制光；7锁相放大器（斯坦福）；8计算机含控制软件）
SPV表面光电压谱样品池结构及数据分析
SPC表面光电流谱 样品池结构及数据分析
Scheme of thesurface photovoltage (SPV) setup applied f the measurements on multilayered sample of CdTe CdSe NCs. Excitons are created upon light excitation, which diffuse through the structure may reach become separated at the type II CdTe/CdSe interface. The rom diffusionof separated charges creates an electric field measured as the SPV signal U by two transparent outer FTO electrodes in a capacit arrangement.
